晶体管中电子和空穴两种载流子都参与导电。（)

,b=0.35cm,c=1.0cm,I=1.0mA,B=0.3T,样品两侧的电势差U=霍耳电压U=6.55mV.

(1)问这半导体是正电荷导电(空穴型)还是负电荷导电(电子型)？

(2)求载流子浓度，设霍耳系数仍具有式(7-8)的形式

A.空穴/自由电子

B.自由电子/空穴

C.空穴/共价键电子

D.负离子/正离子

A.当发射极正向偏置时，从发射区来的少数截流子电子很容易越过发射区扩散到基区

B.扩散到基区的电子全被空穴复合掉了

C.外电路不断地向发射区补充电子，以维持多数载流子的浓度差

D.以上说法都错

A.自由载流子吸收与本征吸收的区别在于：电子从低能态到较高能态的跃迁是在同一能带中进行

B.自由载流子吸收与本征吸收的相同之处在于：仍然遵守能量守恒和动量守恒。自由载流子吸收类似于间接跃迁吸收，电子的跃迁过程中也伴随着吸收或发射一个声子

C.产生自由载流子吸收的光波波长大于本征吸收限 ，所以自由载流子吸收是红外吸收

D.杂质能级上的电子或空穴吸收光子跃迁到导带或价带，称为自由载流子吸收

A.窄带材料的导带底和价带顶均位于宽带材料的禁带中，这种结构的电子势阱和空穴势阱都位于窄带材料中

B.一种材料的导带底和价带顶均分别低于另一种材料的导带底和价带顶，电子势阱和空穴势阱分别位于两种材料中，电子与空穴在空间上是分离的

C.一种材料的导带底与另一种材料的价带顶有一部分重叠，电子势阱和空穴势阱不在同一种材料中

D.窄带材料的导带底和价带顶均位于宽带材料的禁带中，电子势阱和空穴势阱不在同一种材料中

A.温度提高导电能力提高

B.有两种载流子

C.电阻率很小，接近金属导体

D.参杂质后导电能力提高

A.载流子的数量

B.载流子的性质

C.载流子的运动速度

D.以上都对