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在本征半导体中,空穴和自由电子两种载流子的数量不相等。()

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第1题

在P型半导体中多数载流子是(),在N型半导体中多数载流子是()。

A.空穴/自由电子

B.自由电子/空穴

C.空穴/共价键电子

D.负离子/正离子

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第2题

下列描述中不属于本征半导体的基本特征是()。

A.温度提高导电能力提高

B.有两种载流子

C.电阻率很小,接近金属导体

D.参杂质后导电能力提高

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第3题

关于自由载流子吸收,以下说法正确的是?()

A.自由载流子吸收与本征吸收的区别在于:电子从低能态到较高能态的跃迁是在同一能带中进行

B.自由载流子吸收与本征吸收的相同之处在于:仍然遵守能量守恒和动量守恒。自由载流子吸收类似于间接跃迁吸收,电子的跃迁过程中也伴随着吸收或发射一个声子

C.产生自由载流子吸收的光波波长大于本征吸收限 ,所以自由载流子吸收是红外吸收

D.杂质能级上的电子或空穴吸收光子跃迁到导带或价带,称为自由载流子吸收

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第4题

什么是载流子?在半导体中,空穴是载流子吗?空穴运动是反映价电子的运动吗?

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第5题

半导体中空穴电流是由()。

A.价电子填实空穴所形成的

B.自由电子作定向运动所形成

C.自由电子填补空穴所形成

D.空穴漂移所形成

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第6题

处于热平衡状态的半导体,应满足以下条件或符合以下特征:()。

A.无外界作用

B.有确定的载流子浓度

C.有统一的费米能级

D.载流子浓度的乘积等于本征载流子浓度的平方

E.导带和价带之间没有统一的费米能级

F.载流子浓度的乘积不等于本征载流子浓度的平方G、有非平衡载流子

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第7题

晶体管中电子和空穴两种载流子都参与导电。()
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第8题

一块半导体样品的体积为axbxe如图所示.x轴方向有电流I,沿x方向加有均匀磁场B.实验测得a=0.10cm
,b=0.35cm,c=1.0cm,I=1.0mA,B=0.3T,样品两侧的电势差U=霍耳电压U=6.55mV.

(1)问这半导体是正电荷导电(空穴型)还是负电荷导电(电子型)?

(2)求载流子浓度,设霍耳系数仍具有式(7-8)的形式

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第9题

在本征硅半导体中,掺人浓度为5x1015cm-3的受主杂质,试指出T=300K时所形成的杂质半导体类型.若再掺人浓度为1016cm-3的施主杂质,则将为何种类型半导体?若将该半导体温度分别上升到T=500K、600K,试分析为何种类型半导体.

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第10题

以下哪种情况下,半导体为N型的?()

A.本征半导体中掺入施主杂质

B.半导体中同时掺入施主杂质和受主杂质,且施主浓度大于受主浓度

C.半导体中同时掺入施主杂质和受主杂质,且施主浓度小于受主浓度

D.半导体中同时掺入施主杂质和受主杂质,且施主浓度等于受主浓度

E.本征半导体中掺入受主杂质

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