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[主观题]
设PNP型硅BJT的电路如图题5.3.6所示。问vB在什么变化范围内,使T工作在放大区?令β=100。
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第2题
共基电路的交流通路如图题6.5.2所示,其中。BJT的,fT=300MHz及Cbe=4pF。试求该电路源电压增益的上限频率fH。
第3题
下表所列,试判别晶体管的三个电极及类型(硅管,锗管,NPN型管,PNP型管)。
第4题
和输出电阻R0。
第5题
电路如图题4.6.2(主教材图4.6.8)所示,设场效应管的参数为gm1=0.7mS,λ1=λ2=0.01V-1。场效
应管静态工作时的偏置电流IREF=0.2mA。试求该CMOS共源放大电路的电压增益Ae。
第6题
第10题
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=v01/vN和Aes2=v02/vN;(4)输出电阻R01和R02。