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[主观题]

扩散硅压力变送器是基于扩散硅半导体压阻片的()与被测压力成正比的原理工作的。

扩散硅压力变送器是基于扩散硅半导体压阻片的()与被测压力成正比的原理工作的。

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更多“扩散硅压力变送器是基于扩散硅半导体压阻片的()与被测压力成正比的原理工作的。”相关的问题

第1题

关于扩散硅式压力变送器下列描述错误的是()。

A.扩散硅芯片由单晶硅经过采用集成工艺技术经过掺杂、扩散制成

B.其硅片上沿单晶硅的特点晶向,制成应变电阻,构成惠斯凳电桥

C.集力敏与力电转换检测于一体

D.根据压阻效应,将压力转换成破坏惠斯凳电桥桥路平衡的电流,再根据电流变化与压力大小的非线性关系,推算压力大小

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第2题

智能式压力变送器是在原变送器(如电容式、扩散硅式)的基础上增加()而形成的。

A.逻辑电路

B.数字芯片

C.集成电路

D.微处理器

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第3题

扩散硅差压变送器输出始终低于4mA,有可能是()。

A.桥路电源开路

B.电源接反

C.电流过低

D.电流过高

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第4题

下列哪些元素在硅中是快扩散元素:()。

A.Na

B.B

C.P

D.As

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第5题

对于浓度覆盖很宽的杂质原子,可以采用()方法引入到硅片中。

A.离子注入

B.溅射

C.淀积

D.扩散

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第6题

通常情况下,我们改变工艺条件使刻蚀进行中()的刻蚀速率尽量低。
通常情况下,我们改变工艺条件使刻蚀进行中()的刻蚀速率尽量低。

A.光刻胶

B.衬底

C.表面硅层

D.扩散区

E.源漏区

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第7题

有一N型硅棒,棒长l为1mm,其左端边界处不断注入空穴,空穴浓度p(0)为2X1016cm-3,右
有一N型硅棒,棒长l为1mm,其左端边界处不断注入空穴,空穴浓度p(0)为2X1016cm-3,右

有一N型硅棒,棒长l为1mm,其左端边界处不断注入空穴,空穴浓度p(0)为

2X1016cm-3,右端边界处的空穴依度p(l)为4x1015cm-3,空穴的扩散系数Dp=13cm2/s.设空穴浓度以线性规律由左端向右端扩散,试计算扩散电流密度.

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第8题

限制火灾爆炸蔓延扩散的措施:阻火器、回火防止器、单向阀、安全液封、阻火设施、防爆卸压装置、隔离
。()

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第9题

限制火灾、爆炸蔓延扩散的措施包括()装置、防爆泄压装置及防爆分隔等。

A.放火

B.点火

C.防火

D.阻火

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第10题

晶圆是制造半导体芯片的基本材料,半导体集成电路最主要原料是硅,因此对应的就是硅晶圆。()
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