题目内容
(请给出正确答案)
[主观题]
通常情况下,我们改变工艺条件使刻蚀进行中()的刻蚀速率尽量低。
通常情况下,我们改变工艺条件使刻蚀进行中()的刻蚀速率尽量低。
A.光刻胶
B.衬底
C.表面硅层
D.扩散区
E.源漏区
答案
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A.光刻胶
B.衬底
C.表面硅层
D.扩散区
E.源漏区
第2题
A.ARC可以是硅的氮化物
B.可用干法刻蚀除去
C.ARC膜可以通过PVD或者CVD的方法形成
D.ARC在刻蚀中也可做为掩蔽层
E.ARC膜也可以通过CVD的方法形成
第7题
不符合项可在()情况下发现。
A.在工作进行中
B.验收时的检查和试验
C.监督,包括工艺过程监视
D.采购期间
E.评价期间,例如质保监查
F.买方或核安全部门的检查期间
第8题
A.续签《作业证》
B.重新办理《作业证》
C.不用办理《作业证》
D.继续使用原作业证