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[单选题]

N型半导体的费米能级处于禁带()。

A. 中间

B. 上部

C. 下部

D. 不确定.

答案
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更多“ N型半导体的费米能级处于禁带()。”相关的问题

第1题

下列关于费米能级的说法错误的是()。

A.费米能级表征电子的填充情况,费米能级以上的量子态被电子占据的概率很小,费米能级以下的量子态被电子占据的概率很大

B.本征半导体的费米能级大致在禁带中央附近

C.N型半导体的费米能级比较靠近价带顶

D.N型半导体掺杂越高,费米能级离禁带中央越远

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第2题

处于热平衡状态的半导体,应满足以下条件或符合以下特征:()。

A.无外界作用

B.有确定的载流子浓度

C.有统一的费米能级

D.载流子浓度的乘积等于本征载流子浓度的平方

E.导带和价带之间没有统一的费米能级

F.载流子浓度的乘积不等于本征载流子浓度的平方G、有非平衡载流子

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第3题

【单选题】半导体材料中存在3个能量区域:价带、导带和禁带,所谓粒子数翻转指的是电子数目()。

A.导带多于价带

B.价带多于导带

C.价带多于禁带

D.导带多于禁带

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第4题

清洁表面的表面能级处在半导体禁带中的()位置。

A.中央

B.靠近导带底

C.靠近价带顶

D.靠近导带底或价带顶

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第5题

可以用费米能级来表征电子系统的化学势与电化学势。()
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第6题

费米能级Ef的意义是电子占据率为()时所对应的能级。

A. 0;

B. 0.1;

C. 0.2;

D. 0.5;

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第7题

硅是半导体产业中最常用的半导体材料,以下()选项属于硅材料的优点。

A.易于进行腐蚀加工

B.带隙大小适中、硅表面上很容易制备高质量的介电层SiO2

C.易于通过沉积工艺制备出单晶硅、多晶硅和非晶硅薄膜材料

D.易于进行n型和p型掺杂

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第8题

宽禁带半导体材料具有耐酸、耐碱、耐腐蚀的特性。()
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第9题

据掺杂杂质不同,我们把半导体可以分为N型半导体与P型半导体,P型半导体主要掺杂的是五价元素,如磷、砷等。()
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第10题

元素半导体可分为本征半导体和掺杂半导体,后者又分为n£­型半导体和p£­型半导体。()
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