扩散是半导体掺杂的重要方法之一,广泛应用于集成电路中,形成晶体管的基极、发射极、集电极,电阻,MOS工艺中形成源极、漏极、互连引线等。()
此题为判断题(对,错)。
此题为判断题(对,错)。
第1题
A.载流子在浓度梯度作用下的定向运动
B.均匀掺杂的半导体,处于热平衡状态时,不产生扩散运动
C.不论是平衡载流子还是非平衡载流子,只要存在浓度梯度,都会产生扩散运动
D.载流子在电场作用下的定向运动
E.载流子的无规则热运动
F.扩散运动是平衡载流子的主要运动形式之一
第2题
A.p-n结两边掺杂浓度相差较大时,反向饱和电流密度主要由掺杂浓度较低的一侧贡献。
B.在一定温度下,与Si材料相比,GaAs具有较小的有效态密度和较大的禁带宽度,所以GaAs可获得更低的反向饱和电流密度。
C.p-n结两边掺杂浓度越高,越有利于降低反向饱和电流密度。
D.与半导体中的载流子寿命、扩散长度、导带价带的有效态密度、掺杂浓度以及禁带宽度有关。赋予他们恰当值可以得到较大的VOC。
第3题
第5题
A.通信卫星
B.遥感卫星
C.导航定位卫星
D.科学卫星
第9题
A.易于进行腐蚀加工
B.带隙大小适中、硅表面上很容易制备高质量的介电层SiO2
C.易于通过沉积工艺制备出单晶硅、多晶硅和非晶硅薄膜材料
D.易于进行n型和p型掺杂
第10题
A.费米能级表征电子的填充情况,费米能级以上的量子态被电子占据的概率很小,费米能级以下的量子态被电子占据的概率很大
B.本征半导体的费米能级大致在禁带中央附近
C.N型半导体的费米能级比较靠近价带顶
D.N型半导体掺杂越高,费米能级离禁带中央越远