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[多选题]

IGBT的基本结构是由“双极型三极管BJT”和“MOS绝缘栅型场效应管”组成的()电力电子器件。

A.结构复杂

B.复合

C.全控型

D.电压驱动式

答案
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更多“IGBT的基本结构是由“双极型三极管BJT”和“MOS绝缘栅型场效应管”组成的()电力电子器件。”相关的问题

第1题

门极绝缘双极晶体管又称绝缘门极晶体管,简称()。习惯性地称其为绝缘栅双极晶体管,或绝缘栅晶体管,它是一种VMOSFET和双极型晶体管的复合器件。

A.TR

B.MOS

C.IGBT

D.DR

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第2题

【单选题】单极型半导体器件是()。

A.二极管

B.双极型三极管

C.场效应管

D.稳压管

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第3题

正常使用时,双极型三极管的发射结加()小电压,收集结加()大电压。
正常使用时,双极型三极管的发射结加()小电压,收集结加()大电压。

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第4题

()具有一定电压电流关系的独立器件,包括基本的电抗元件、机电元件、半导体分立器件二极管、双极三极管、场效应管、晶闸管等。

A.分立器件

B.集成器件

C.无源元件

D.有源元件

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第5题

IGBT属于一种具有MOSFET()中、大功率器件。

A.高速性能的

B.高效率的

C.双极的

D.低电阻性能的

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第6题

功率最大的器件为()。

A.MOSFET

B.IGBT

C.SCR

D.电力三极管

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第7题

电子技术基础知识包括()

A.极管及其基本应用

B.三极管及其基本应用

C.晶闸管基础知识

D.整流稳压电路

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第8题

对NPN型三极管的共射极放大电路,如果输出电压波形顶部失真,说明三极管的()。

A.静态电流IC过大

B.静态电流IC过小

C.发射极电容开路

D.负载电阻太大

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第9题

NPN型三极管处于放大状态时,三个极的电位关系为()。

A.VC>VE>VB

B.VC>VB>VE

C.VE>VB>VC

D.VB>VE>VC

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第10题

某放大器中三极管三个极的电位分别是2V、1.7V、5V,可判断该管为()

A.PNP型锗管

B.PNP型硅管

C.NPN型硅管

D.NPN型锗管

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