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[判断题]

单相可控硅是具有3个PN结的四层半导体器件。()

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更多“单相可控硅是具有3个PN结的四层半导体器件。()”相关的问题

第1题

可控硅是一个四层三端的硅半导体器件。()
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第2题

晶体三极管具有三个电极三个PN结的半导体元件。()
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第3题

晶闸管是一个四层三端元件,其内部有()PN结。
晶闸管是一个四层三端元件,其内部有()PN结。

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第4题

发光二极管是()载流子在PN结区注入与复合而产生发光的半导体光源。
发光二极管是()载流子在PN结区注入与复合而产生发光的半导体光源。

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第5题

目前光纤通信常采用半导体光电检测器,如PN结光电二极管,PIN光电二极管和APD雪崩光电二极管等。()
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第6题

K900型焊机焊接电源电路是由单向380V交流供电,由两只反向并联的可控硅SCR1和SCR2调整电压。再经()升压。然后向焊接变压器提供焊接电源

A.自耦变压器

B.2个单向变压器

C.三相变压器

D.3个单相变压器

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第7题

Gtr是由三层半导体、两个pn结构成的三端器件,所以可以分为PNP和NPN型两种形式。()
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第8题

如果没有光照射或pn结注入等外界影响,温度又保持稳定,半导体中将在产生和复合的基础上形成()。
如果没有光照射或pn结注入等外界影响,温度又保持稳定,半导体中将在产生和复合的基础上形成()。

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第9题

关于反向饱和电流密度,以下说法中错误的是()

A.p-n结两边掺杂浓度相差较大时,反向饱和电流密度主要由掺杂浓度较低的一侧贡献。

B.在一定温度下,与Si材料相比,GaAs具有较小的有效态密度和较大的禁带宽度,所以GaAs可获得更低的反向饱和电流密度。

C.p-n结两边掺杂浓度越高,越有利于降低反向饱和电流密度。

D.与半导体中的载流子寿命、扩散长度、导带价带的有效态密度、掺杂浓度以及禁带宽度有关。赋予他们恰当值可以得到较大的VOC。

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第10题

PN结的最主要特性是单向导电性。()
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