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[主观题]

共漏放大电路如图LP4-32所示.(1)画出交流等效电路;(2)推导表示式.设r_ds和R_L的作用忽略

共漏放大电路如图LP4-32所示.（1)画出交流等效电路;（2)推导表示式.设r_ds和R_L的作用忽略

共漏放大电路如图LP4-32所示.(1)画出交流等效电路;(2)推导共漏放大电路如图LP4-32所示.（1)画出交流等效电路;（2)推导表示式.设rds和RL的作用忽略表示式.设r_ds和R_L的作用忽略不计.

共漏放大电路如图LP4-32所示.（1)画出交流等效电路;（2)推导表示式.设rds和RL的作用忽略

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发布时间：2022-05-26

更多“共漏放大电路如图LP4-32所示.(1)画出交流等效电路;(2)推导表示式.设rds和RL的作用忽略”相关的问题

第1题

电路如图题4.6.2(主教材图4.6.8)所示，设场效应管的参数为g_m1=0.7mS，λ₁=λ₂=0.01V卐

电路如图题4.6.2（主教材图4.6.8)所示，设场效应管的参数为g_m1=0.7mS，λ₁=λ₂=0.01V卐

电路如图题4.6.2(主教材图4.6.8)所示，设场效应管的参数为g_m1=0.7mS，λ₁=λ₂=0.01V^-1。场效

应管静态工作时的偏置电流I_REF=0.2mA。试求该CMOS共源放大电路的电压增益A_e。

电路如图题4.6.2（主教材图4.6.8)所示，设场效应管的参数为gm1=0.7mS，λ1=λ2=0

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第2题

电路如图P3.8所示,T₁和T₂的低频跨导gm均为10mS.试求解差模放大倍数和输入电阻.

电路如图P3.8所示,T1和T2的低频跨导gm均为10mS.试求解差模放大倍数和输入电阻.请帮忙给出

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第3题

下列各组态放大电路中,若要求既有电压放大作用,又有电流放大作用,应选（)。

A.共集组态

B.共漏组态

C.共基组态

D.共射组态

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第4题

共栅、共源和共漏三种组态放大电路中，输出电阻最小的是（），反相放大的是（）。

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第5题

共基电路的交流通路如图题6.5.2所示，其中。BJT的，f_T=300MHz及C_be=4pF。试求该电路源电压

共基电路的交流通路如图题6.5.2所示，其中共基电路的交流通路如图题6.5.2所示，其中。BJT的，fT=300MHz及Cbe=4pF。试求该电。BJT的，f_T=300MHz及C_be=4pF。试求该电路源电压增益的上限频率f_H。

共基电路的交流通路如图题6.5.2所示，其中。BJT的，fT=300MHz及Cbe=4pF。试求该电

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第6题

电路如图P4.5所示,T与T,管特性相同,它们的低频跨导为gm;T₃与T₄管特性对称;T₁与T

4管d-s间的动态电阻分别为r_ds2和r^ds4.试求出电压放大倍数A_u=Δ_u0/Δ(u₁₁-u₁₂)的表达式.

电路如图P4.5所示,T与T,管特性相同,它们的低频跨导为gm;T3与T4管特性对称;T1与T4管d

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第7题

一个JFET的转移特性曲线如图题4.8.3所示，试问：（1) 它是N沟道还是P沟道的FET？（2) 它的夹断电压V

一个JFET的转移特性曲线如图题4.8.3所示，试问：

(1) 它是N沟道还是P沟道的FET？

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一个JFET的转移特性曲线如图题4.8.3所示，试问：（1) 它是N沟道还是P沟道的FET？（2)

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第8题

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电路如图题5.4.6所示，设β=100，V_BEQ=0.7V。（1)估算Q点;（2)求电压增益A_r、输入电阻R_i

和输出电阻R₀。

电路如图题5.4.6所示，设β=100，VBEQ=0.7V。（1)估算Q点;（2)求电压增益Ar、输

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第9题

测试NPN型晶体管穿透电流的电路如图P6.19所示.（1)电路中引入了哪种反馈？测试晶体管穿透电流的

测试NPN型晶体管穿透电流的电路如图P6.19所示.

(1)电路中引入了哪种反馈？测试晶体管穿透电流的原理是什么？

(2)选择合适的R,在Multisim环境下测试晶体管的穿透电流.

测试NPN型晶体管穿透电流的电路如图P6.19所示.（1)电路中引入了哪种反馈？测试晶体管穿透电流的

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第10题

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电路如图题10.6.2所示。（1)试从相位平衡条件分析电路能否产生正弦波振荡;（2)若能振荡，R_f和R

_e1的值应有何关系？振荡频率是多少？(3)为了稳幅，电路中哪个电阻可采用热敏电阻，其温度系数如何？

电路如图题10.6.2所示。（1)试从相位平衡条件分析电路能否产生正弦波振荡;（2)若能振荡，Rf和

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